طراحی یک گیت منطقی پنج ورودی با استفاده از ترانزیستور مبتنی بر مشتقات بنزن [Persian Thesis]
مهسا ایزدی
| شناسگر رکورد: | ۱۹۹۲۹ |
| رشته تحصیلی: | معماری سیستم های کامپیوتری |
| عنوان: | طراحی یک گیت منطقی پنج ورودی با استفاده از ترانزیستور مبتنی بر مشتقات بنزن |
| نويسنده: | مهسا ایزدی |
| استاد راهنما : |
دکتر کیوان ناوی دکتر محمد طهرانی |
| مقطع تحصیلی : | کارشناسی ارشد |
| دانشگاه : | خاتم |
| تاریخ دفاع : | ۱۴۰۱ |
| چکیده: | فناوری CMOS فناوری غالب در طی دهه¬های اخیر بوده است که امکان کوچکسازی ابعاد لازم برای پیاده¬سازی مدارهای مجتمع بسیار فشرده با فرکانس کاری بالا و مصرف انرژی کمتر و تراکم بیشتر را فراهم ساخته است. با این وجود، با کاهش چشمگیر ابعاد ترانزیستورها در دهه اخیر این موضوع آشکار شده است که رشد تراکم و کارآیی مدارها، مطابق قانون مور دیگر نمی¬تواند تنها بر اساس نظریه مقیاس گذاری مرسوم ادامه یابد. با کاهش اجتناب ناپذیر اندازه ترانزیستورهای MOSFET در ابعاد نانو، فناوری CMOS با مشکلات و چالشهای اساسی روبرو شده است. با اینکه توجه زیادی به توسعه تکنیکهای ساخت فناوری نانو شده است، اما کارهای کمی برای توسعه تکنیکهای طراحی ویژه برای فناوریهای نانو جدید انجام شده است. تحقق مدارهای محاسباتی در مقیاس نانومتری منجر به سرعت بیشتر ، توان کمتر و فضای کمتر در سطح تراشه در سیستم های الکترونیکی می شود.گیت XOR یکی از مهمترین گیتهای منطقی است که همواره برای طراحی مدارهای محاسباتی مختلف بسیار مورد توجه بوده است. بهینه سازی و بهبود کارایی توابع منطقی XOR تأثیر قابل توجهی بر عملکرد مدارهای حسابی و منطقی بزرگتر دارد. از سوی دیگر، استفاده از الکترونیک مولکولی یکی از امیدوارکننده ترین راه حل ها برای آینده نانوالکترونیک است. در فناوری الکترونیک مولکولی ، مولکول ها به عنوان اجزای فعال یک مدار برای انتقال الکترون استفاده می شوند. در این فناوری ، ترانزیستورها و عناصر منطقی مستقیماً با استفاده از مولکول ها ساخته می شوند. بنابراین طراحی آن در مقیاس مولکولی منجر به کاهش تعداد ترانزیستور، در نتیجه کاهش مصرف توان، کاهش هزینه ساخت مدار و افزایش سرعت مدار می¬گردد. در این پایان¬نامه ، یک گیت منطقی پنج ورودی XOR کارآمد بر اساس یک روش جدید ارائه شده است. نتایج شبیه سازی با استفاده از شبیه ساز Atomistic Toolkit (ATK) به دست آمده است. برای شبیه سازی های مورد نظر ، ATK از روش¬های محاسباتی انتقال الکترون با استفاده از تابع عدم تعادل سبز (NEGF) همراه با نظریه عملکردی چگالی (DFT) استفاده می کند. عملکرد گیت پیشنهادی XOR با همتایان خود مقایسه شده و مشخص شد که گیت XOR ساخته شده با استفاده از ترانزیستور پیشنهادی بیشتر از ۹۹% در PDP بهبود داشته است که آن را نسبت به سایر مدل¬ها برتر می کند. واژههای کلیدی: ترانزیستور تک مولکولی، مشتقات بنزن، ، مقاومت منفی(NDR)، اثرات چرخش مولکول ، گیت¬های منطقی پنج ورودی |
| Register Number | Part3 | Version | Volume | Part | Part2 | Reference | Call Number | lended | Date Back | Description | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 283817 | 1 |
LoginWithYourAccountToPostComment