طراحی مدل جدید دروازه منطقی دو ورودی با استفاده از ترانزیستور مولکولی مشتقات بنزن [Persian Thesis]
شیما موقوفه ئی
| شناسگر رکورد: | ۲۰۷۴۲ |
| رشته تحصیلی: | معماری سیستم های کامپیوتری |
| عنوان: | طراحی مدل جدید دروازه منطقی دو ورودی با استفاده از ترانزیستور مولکولی مشتقات بنزن |
| نويسنده: | شیما موقوفه ئی |
| استاد راهنما : | شیما موقوفه ئی |
| مقطع تحصیلی : | کارشناسی ارشد |
| دانشگاه : | خاتم |
| تاریخ دفاع : | ۱۴۰۱ |
| چکیده: | توابع منطقی دو ورودی در طراحی مدارهای ریاضی و حسابی کاربرد¬های بسیاری دارند. دروازههای منطقی پیشین موردمطالعه، در ولتاژ بایاس بالا طراحیشدهاند که باعث افزایش توان مدار میشود. طراحی دروازههای منطقی در ولتاژ بایاس پایین و مقیاس مولکولی منجر به کاهش تعداد ترانزیستور، درنتیجه کاهش مصرف توان، کاهش هزینه ساخت مدار و افزایش سرعت مدار می¬گردد.از طرفی در ترانزیستورهای مولکولی،از اتم نگهدارنده برای پیوند صحیح بین مولکول و الکترود استفاده میشود که اگر بهدرستی انتخاب نشود،انتقال الکترون بهخوبی صورت نمیگیرد و انرژی هدر میرود. با توجه به نقش اتمهای نگهدارنده در برقراری بهتر این پیوند و تأثیر قابلتوجه بر جریان عبوری از ترانزیستورهای مولکولی ، پس از بررسی جریان عبوری از چند اتم نگهدارنده ،بهترین اتم نگهدارنده برای ترانزیستور مولکولی انتخاب گردید. به ازای مقادیر ورودی ولتاژ دروازه، در ولتاژهای سورس درین مختلف ،رفتارهای ترانزیستور ،موردبررسی قرارگرفته و توابع منطقی دو ورودی، پیشنهادشده است . پس از بررسی نتایج بهدستآمده از شبیهسازی و مقایسه با دروازههای منطقی در تکنولوژهای نانولولههای کربنی( CNTFET ) و نیمههادیهای اکسید فلز مکمل( CMOS ) مشخص شد توابع منطقی پیشنهادی کمترین تأخیر و حاصلضرب توان در تأخیر( PDP )را در بین سایر همتایان ، از خود نشان میدهد. عملکرد توابع منطقی پیشنهادی توسط تابع گرین نامتعادل و تئوری تابع چگال موردبررسی قرارگرفته است. واژههای کلیدی: ترانزیستور مولکولی،طیف انتقال الکترون ،اتمهای نگهدارنده ،توابع منطقی دو ورودی، اثرات ولتاژ دروازه،ولتاژ سورس درین |
| Register Number | Part3 | Version | Volume | Part | Part2 | Reference | Call Number | lended | Date Back | Description | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 284253 | 1 |
LoginWithYourAccountToPostComment