طراحی مدل جدید مدار محاسباتی با استفاده از ترانزیستور مولکولی مشتقات بنزن [Persian Thesis]
علی احمدی
| شناسگر رکورد: | ۵۱۸۶۲ |
| رشته تحصیلی: | معماری سیستم های کامپیوتری |
| عنوان: | طراحی مدل جدید مدار محاسباتی با استفاده از ترانزیستور مولکولی مشتقات بنزن |
| نويسنده: | علی احمدی |
| استاد راهنما : | دکتر محمد طهرانی |
| مقطع تحصیلی : | کارشناسی ارشد |
| دانشگاه : | خاتم |
| تاریخ دفاع : | ۱۴۰۳ |
| چکیده: | در دنیای مدرن الکترونیک، نیاز به فناوری‌هایی که قادر به کاهش مصرف انرژی و بهبود عملکرد در مقیاس‌های کوچک‌تر باشند، روز به روز افزایش می‌یابد. با نزدیک شدن به محدودیت‌های فیزیکی و فناوری در سیستم‌های مبتنی بر سیلیکون، رویکردهای جدیدی برای توسعه مدارهای دیجیتال کارآمدتر مورد نیاز است. این پژوهش با هدف طراحی و پیاده‌سازی یک گیت منطقی NOR دو ورودی مبتنی بر ترانزیستور اثر میدانی مولکولی دوگیتی (FET ) که از مولکول Oligo (OPE) به‌عنوان کانال فعال استفاده می‌کند، انجام شده است. مولکول‌های OPE به دلیل ساختار مزدوج و خواص الکترونیکی منحصربه‌فرد خود، به‌عنوان یکی از کاندیداهای مناسب برای ترانزیستورهای مولکولی مطرح هستند. این مولکول‌ها به دلیل پیوندهای اتینیلن و حلقه‌های فنیلن که هدایت الکتریکی بالا و سختی مکانیکی خوبی فراهم می‌کنند، امکان طراحی مدارهای دیجیتال بسیار کوچک و کارآمد را فراهم می‌آورند. در این تحقیق، ترانزیستور مولکولی دوگیتی با استفاده از مولکول OPE طراحی و شبیه‌سازی شد و سپس به‌عنوان یک گیت منطقی NOR دو ورودی مورد استفاده قرار گرفت. ویژگی کلیدی این ترانزیستور مولکولی رفتار مقاومت منفی دیفرانسیلی (NDR) است که در ولتاژهای پایین درین-سورس مشاهده می‌شود. این رفتار خاص امکان طراحی گیت‌های منطقی کارآمد را با مصرف انرژی کمتر و کارایی بالاتر فراهم می‌کند. نتایج شبیه‌سازی‌ها نشان می‌دهند که ترانزیستور مولکولی دوگیتی پیشنهادی قادر است گیت‌های منطقی را با حداقل تعداد عناصر پایه و با کاهش چشمگیر مساحت و هزینه تولید پیاده‌سازی کند. از دیگر مزایای این تحقیق می‌توان به کاهش مصرف انرژی و افزایش بهره‌وری در مدارهای دیجیتال اشاره کرد که از طریق بهره‌برداری از ویژگی‌های الکترونیکی مولکول‌های OPE محقق شده است. این پژوهش به پیشرفت‌های بیشتری در زمینه طراحی مدارهای نانومقیاس و کاهش مصرف توان کمک می‌کند و افق‌های جدیدی را در زمینه نانوالکترونیک و الکترونیک مولکولی می‌گشاید. |
| واژگان کلیدی: | ترانزیستور مولکولی،گیت منطقی NOR، مولکول OPE، مقاومت منفی دیفرانسیلی، نانوالکترونیک، مصرف انرژی کم |
| Register Number | Version | Volume | Part | Reference | Call Number | lended | Date Back | Description | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 284704 | 1 |
LoginWithYourAccountToPostComment