طراحی XOR پنج ورودی مد جریان نادقیق مبتنی بر تکنولوژی نانو لوله های کربنی [پايان نامه فارسي]
علی کارگران دهکردی
| شناسگر رکورد: | ۱۵۶۰۴ |
| رشته تحصیلی: | معماری سیستم های کامپیوتری |
| عنوان: | طراحی XOR پنج ورودی مد جریان نادقیق مبتنی بر تکنولوژی نانو لوله های کربنی |
| نويسنده: | علی کارگران دهکردی |
| استاد راهنما : | دکتر کیوان ناوی |
| مقطع تحصیلی : | کارشناسی ارشد |
| دانشگاه : | خاتم |
| تاریخ دفاع : | ۱۳۹۵ |
| چکیده: | سلول جمع کننده XOR جزء بسیار مهم و پایه ای در بسیاری از سیستم های محاسباتی، کنترلی، مقایسه ای، تشخیص خطا و پردازش و رمزنگاری تصویر است. بنابراین این موضوع پزوهشگران و طراحان را وادار به طراحی مداری مناسب و بهینه برای این نوع از گیت های منطقی در سطح ترانزیستور می کند. بر اساس نتایج تجربی با کوچک شدن مقیاس ساخت ادوات CMOS آثار مخربی مانند افزایش جریان نشتی، از دست دادن کنترل گیت و ایجاد کانال به شکل اتصال کوتاه باعث شده است تا طراحان به تکنولوژی های جدیدتری برای ساخت ترانزیستور ها و جایگزین کردن آن به جای سیلیکون روی بیاورند. یکی از محتمل ترین این تکنولوزی ها، تکنولوژی نانو لوله های کربنی است که از آن برای ساخت ترانزیستور های مبتنی بر تکنولوژی نانولوله های کربنی اثر میدانی (CNTFET) استفاده می شود. در سال های گذشته سرعت به عنوان یک پارامتر بسیار مهم مورد توجه بسیاری از طراحان و پژوهشگران قرار گرفته شده و از میان روش های طراحی مدار، مدار های مد جریان به منظور رسیدن به این ویژگی مهم پتانسیل بسیار خوبی داشتند اما استفاده از ترانزیستور های MOSFET سیلیکونی در مد جریان باعث ایجاد اثرات مخرب محسوسی می شد که به همین دلیل استفاده گسترده ای از آن ها در طی سال های اخیر صورت نمی گرفت. اما ترکیب این مدارها با تکنولوژی مبتنی بر نانولوله های کربنی، اثرات مخرب یاد شده را تقریبا از بین می برد و باعث افزایش بسیار چشمگیر سرعت مدار می شود. از سوی دیگر مصرف توان و مساحت سطح تراشه سخت افزاری چالش های دیگری هستند که امروزه یکی از روش های بهبود این پارامتر ها استفاده از محاسبات تقریبی در پردازش هایی است که کاهش نامحسوس میزان دقت در محاسبات آن ها تاثیری در کارایی کلی آن ها نخواهد داشت. در این کار مدار XOR پنج ورودی مد جریان به همراه مدل تقریبی آن مبتنی بر ترانزیستور های نانولوله کربنی اثر میدانی بر اساس روشی نوین طراحی شده و نتایج شبیه سازی نشانگر پیشرفت های قابل توجه و چشمگیری در زمینه انرژی مصرفی، سرعت مدار و مساحت اشغالی این سلول در سطح تراشه در مقایسه با رقبا است. |
| واژگان کلیدی: | مهندسی کامپیوتر |
| واژگان کلیدی: | معماری سیستم های کامپیوتری |
| واژگان کلیدی: | XOR |
| واژگان کلیدی: | مد جریان |
| واژگان کلیدی: | پنج ورودی |
| واژگان کلیدی: | مصرف انرژی |
| واژگان کلیدی: | مصرف توان |
| واژگان کلیدی: | تاخیر |
| واژگان کلیدی: | ترانزیستور |
| واژگان کلیدی: | نانولوله کربنی |
| واژگان کلیدی: | تقریب |
| واژگان کلیدی: | CNTFET |
| شماره ثبت | جزء | نسخه | جلد | بخش | قسمت | مرجع | شماره بازیابی | در دست امانت | تاریخ بازگشت | ملاحظات | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 21423 | 1 | ||||||||||
| 21424 | 2 |
جهت مشاهده فایل دیجیتال با حساب کاربریتان وارد شوید
جهت ثبت نظر با حساب کاربری تان وارد شوید