طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز در باند فوق پهن تکنولوژی nm cmos با قابلیت حذف مولفه های خارج از باند و افزایش نسبت سیناد [پايان نامه فارسي]
پوریا کاظمی
| شناسگر رکورد: | ۱۶۴۵۹ |
| رشته تحصیلی: | مخابرات سیستم |
| عنوان: | طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز در باند فوق پهن تکنولوژی nm cmos با قابلیت حذف مولفه های خارج از باند و افزایش نسبت سیناد |
| نويسنده: | پوریا کاظمی |
| استاد راهنما : | دکتر کمال محامد پور |
| مقطع تحصیلی : | کارشناسی ارشد |
| دانشگاه : | خاتم |
| تاریخ دفاع : | ۱۴۰۰ |
| چکیده: | تقویت کننده کم نویز اولین واحد بعد از آنتن، در بیشتر گیرندههای ارتباطی میباشد. کارایی گیرنده RF تا حد بالایی به تقویت کننده کم نویز استفاده شده وابسته است. تقویت کننده کم نویز وظیفه دارد یک سیگنال را به گونه ای تقویت کند که نویز کمتری را به آن وارد کند، از آنجایی که سیگنال دریافت شده به وسیله آنتن، در حد میکرو ولت یا نانو ولت و به همراه نویز میصباشد، بنابراین باید قبل از پردازش سیگنال، آن را با حداقل ممکن نویز تقویت نمود. فراپهن باند (Ultra Wide Band) با نرخ انتقال اطلاعات تا Mb/S۴۵۰ ، یک استاندارد در باند فرکانسی ۳/۱-۱۰/۶ GHz میباشد، که یکی از مشکلات اساسی در سیستمهای این باند، اثرات سیگنالهای تداخلگر بر آن میباشد، که سیگنال دریافت شده در گیرنده را تحت تاثیر مخرب قرار میدهد. درگذشته در راستای حذف و یا کاهش این سیگنالهای مزاحم، کارهای بسیاری انجام گردیده که به عنوان مثال، یک تقویت کننده ی فراپهن باند ارائه شده که در طبقه اول آن از یک ساختار گیت مشترک استفاده شده است. از آنجایی که ساختار گیت مشترک ذاتا پهن باند است، طراح توانسته با استفاده از آن به پهنای باند بالایی دست پیدا کند. اما عدد نویز به شدت افزایش یافته است. در نمونه دیگر، با استفاده از دو فیدبک مقاومتی و مقاومتی - خازنی، تطبیق امپدانس ورودی مناسب را در LNA CS ایجاد کردهصاند، اما استفاده از فیدبک مقاومتی سبب کاهش بهره و افزایش عدد نویز گردیده است. در این پژوهش شیوه جدیدتری به منظور حذف تداخلهای تاثیرگذار بر کارایی گیرندههای UWB ،ارائه شده و به طراحی یک LNA فراپهن باند پرداخته شده است. این شیوه باعث کم شدن توان مصرفی و بالا رفتن بهره خواهد شد. دو مدار تقویتکننده کمنویز توان پایین و پهنباند بر اساس ساختار سورس مشترک معرفی گردیده اند. با استفاده از یک ساختار آبشاری و تکنیک جریان دوباره استفاده شده، مصرف توان کاهش یافته است. مدارهای پیشنهادی، نسبت به چند نمونه تحقیق انجام شده در گذشته دارای توان مصرفی متوسط و هارمونیک مرتبه سوم قابل قبولی بوده و نیز بهره و عدد نویز بهتری را نتیجه داده اند. تمامی شبیه سازیهای این تحقیق با بهره گیری از نرم افزار Advanced Design System و فناوری ۱۸۰ nm CMOS انجام شده است. |
| واژگان کلیدی: | مهندسی برق |
| واژگان کلیدی: | مخابرات سیستم |
| واژگان کلیدی: | LNA |
| واژگان کلیدی: | فراپهن باند |
| واژگان کلیدی: | فیلتر غیرفعال |
| واژگان کلیدی: | سیناد |
| واژگان کلیدی: | تطبیق امپدانس |
| شماره ثبت | جزء | نسخه | جلد | بخش | قسمت | مرجع | شماره بازیابی | در دست امانت | تاریخ بازگشت | ملاحظات | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 22309 | 1 |
جهت مشاهده فایل دیجیتال با حساب کاربریتان وارد شوید
جهت ثبت نظر با حساب کاربری تان وارد شوید