مطالعه تاثیر نابهنجاری آلیاژی در خواص الکترونیکی و نوری نیمه هادی های نیتریدی و ساختارهای کوانتمی ناهمگن آن ها [پايان نامه فارسي]
سعید رسولی
| شناسگر رکورد: | ۲۰۱۰۱ |
| رشته تحصیلی: | مواد،انرژی و فناوری کوآنتومی |
| عنوان: | مطالعه تاثیر نابهنجاری آلیاژی در خواص الکترونیکی و نوری نیمه هادی های نیتریدی و ساختارهای کوانتمی ناهمگن آن ها |
| نويسنده: | سعید رسولی |
| استاد راهنما : |
دکتر مریم پاکپور دکتر ژک پرتی |
| مقطع تحصیلی : | کارشناسی ارشد |
| دانشگاه : | خاتم |
| تاریخ دفاع : | ۱۴۰۱ |
| چکیده: | تنوع چشمگیر شکاف نوار با ترکیب در نیمه هادی های نیتریدی (از eV ۰.۷ برای InN تا eV ۳.۴ برای GaN و eV ۶.۲ برای AlN)، توجه ویژه ای را از تکنولوژی و صنایع مختلف به خود جلب کرده است. همانطور که مشاهده می¬شود آلیاژسازی شدیدا بر شکاف نوار تاثیر می¬گذارد. در این تحقیق آلیاژ InGaN مورد مطالعه قرار گرفته است. موقعیت تصادفی اتم های ایندوم و گالیم در سایت های شبکه، و اختلاف زیاد بین نوار شکاف InN و GaN، باعث به وجود آمدن اختلال کوانتمی می شود. بنابراین انتظار میرود اثرات localization حتی در دمای اتاق به وضوح پدیدار شود. تاثیر این نابهنجاری آلیاژی بر خواص نوری و الکتریکی نیمه هادی های نیتریدی از نظر بنیادی، می تواند از منظر تئوری با پدیده معروف Anderson localization مورد بررسی قرار گیرد. این پدیده شاخه تحقیقی بزرگی را شامل می¬شود که چندین جنبه از آن پس از گذشت بیش از پنجاه سال هنوز حل نشده باقی مانده است. شناسایی تأثیر اختلال بی نظمی در نیمه هادی InGaN بر خواص این نیمه هادی از جمله جذب، انتقال و خواص نوری آلیاژ نیاز به یک تلاش تحقیقاتی فشرده دارد. بسیاری از سوالات در مورد اختلال بی نظمی بی پاسخ مانده اند و بسیاری از مسائل مختلف در آلیاژهای نیتریدی حل نشده است. در همین راستا مهمترین مسئله این است که خواص اساسی نیتریدها مانند پارامترهای نوار شکاف، دینامیک حامل ها و غیره هنوز به خوبی مشخصه یابی نشده اند. مورد دوم این است که این نیمه هادی ها متشکل از ساختارهای ناهمگن هستند که بر اساس آلیاژهای سه تایی به وجود آمده اند. در نتیجه یک اختلال ترکیبی قوی را شامل می-شوند. اما تأثیر اختلال ترکیب بر خواص و عملکرد این نیمه هادی ها هنوز مشخص نشده و معمولاً مورد توجه قرار نمی گیرد. در این پروژه، یک رویکرد تجربی ویژه، بر اساس طیفسنجی الکترون نزدیک به نوار رسانش در نوار شکاف نیترید به منظور مطالعه اثرات اختلال کوانتومی بر فرآیندهای الکترونیکی در ساختارهای ناهمگن کوانتومی InGaN/GaN مد نظر گرفته شده است. این تکنیک اطلاعات طیفسنجی را در مورد فرآیندهای انتقال و خواص نوری در غلظتهای بسیار کم الکترون ها در نوار شکاف ارائه میکند. |
| شماره ثبت | جزء | نسخه | جلد | بخش | قسمت | مرجع | شماره بازیابی | در دست امانت | تاریخ بازگشت | ملاحظات | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 283971 | 1 |
جهت ثبت نظر با حساب کاربری تان وارد شوید