طراحی مدل جدید دروازه منطقی دو ورودی با استفاده از ترانزیستور مولکولی مشتقات بنزن [پايان نامه فارسي]

شیما موقوفه ئی

شناسگر رکورد: ۲۰۷۴۲
رشته تحصیلی: معماری سیستم های کامپیوتری
عنوان: طراحی مدل جدید دروازه منطقی دو ورودی با استفاده از ترانزیستور مولکولی مشتقات بنزن
نويسنده: شیما موقوفه ئی
استاد راهنما : شیما موقوفه ئی
مقطع تحصیلی : کارشناسی ارشد
دانشگاه : خاتم
تاریخ دفاع : ۱۴۰۱
چکیده: توابع منطقی دو ورودی در طراحی مدارهای ریاضی و حسابی کاربرد¬های بسیاری دارند. دروازههای منطقی پیشین موردمطالعه، در ولتاژ بایاس بالا طراحیشدهاند که باعث افزایش توان مدار میشود. طراحی دروازههای منطقی در ولتاژ بایاس پایین و مقیاس مولکولی منجر به کاهش تعداد ترانزیستور، درنتیجه کاهش مصرف توان، کاهش هزینه ساخت مدار و افزایش سرعت مدار می¬گردد.از طرفی در ترانزیستورهای مولکولی،از اتم نگهدارنده برای پیوند صحیح بین مولکول و الکترود استفاده میشود که اگر بهدرستی انتخاب نشود،انتقال الکترون بهخوبی صورت نمیگیرد و انرژی هدر میرود. با توجه به نقش اتمهای نگهدارنده در برقراری بهتر این پیوند و تأثیر قابلتوجه بر جریان عبوری از ترانزیستورهای مولکولی ، پس از بررسی جریان عبوری از چند اتم نگهدارنده ،بهترین اتم نگهدارنده برای ترانزیستور مولکولی انتخاب گردید. به ازای مقادیر ورودی ولتاژ دروازه، در ولتاژهای سورس درین مختلف ،رفتارهای ترانزیستور ،موردبررسی قرارگرفته و توابع منطقی دو ورودی، پیشنهادشده است . پس از بررسی نتایج بهدستآمده از شبیهسازی و مقایسه با دروازههای منطقی در تکنولوژهای نانولولههای کربنی( CNTFET ) و نیمههادیهای اکسید فلز مکمل( CMOS ) مشخص شد توابع منطقی پیشنهادی کمترین تأخیر و حاصلضرب توان در تأخیر( PDP )را در بین سایر همتایان ، از خود نشان میدهد. عملکرد توابع منطقی پیشنهادی توسط تابع گرین نامتعادل و تئوری تابع چگال موردبررسی قرارگرفته است. واژههای کلیدی: ترانزیستور مولکولی،طیف انتقال الکترون ،اتمهای نگهدارنده ،توابع منطقی دو ورودی، اثرات ولتاژ دروازه،ولتاژ سورس درین
شماره ثبت جزء نسخه جلد بخش قسمت مرجع شماره بازیابی در دست امانت تاریخ بازگشت ملاحظات
284253 1
Copyright 2025 by Payam Hannan co ltd. PayamLib.com